Les fondeurs Intel et AMD poursuivent leurs recherches pour optimiser les performances de leurs processeurs. A l’occasion du VLSI Symposia de Tokyo, chacun a pr\u00e9sent\u00e9 ses orientations technologiques.<\/p>\n
45 nm (ou 0,045 micron) et m\u00eame 32 nm ! Tels sont les pas de gravure des transistors qu’envisage AMD pour ses futurs processeurs alors que ceux-ci sont aujourd’hui con\u00e7us en 130 nm et, prochainement, en 90 nm. Le fondeur de Sunnyvale a profit\u00e9 du VLSI Symposia, qui se tient \u00e0 Tokyo du 10 au 14 juin 2003, pour pr\u00e9senter ses orientations technologiques. L’objectif restant toujours le m\u00eame : acc\u00e9l\u00e9rer le transfert de charge \u00e9lectrique au sein du composant \u00e9lectronique tout en minimisant les pertes \u00e9nerg\u00e9tiques, afin d’augmenter les performances globales des processeurs pour une consommation \u00e9lectrique minimale. Si la finesse de gravure aide \u00e0 atteindre cet objectif, le choix des mat\u00e9riaux est tout aussi important pour optimiser les flux \u00e9lectriques. <\/p>\n
Le nickel remplace le silicium <\/p>\n
AMD se tournera notamment vers le siliciure de nickel (NiSi) en remplacement du polysilicium actuel pour la construction des \u00ab\u00a0portes\u00a0\u00bb (gate oxyde) des transistors. Le NiSi assurerait, selon AMD, une meilleure \u00e9tanch\u00e9it\u00e9, permettant ainsi de r\u00e9duire les pertes \u00e9nerg\u00e9tiques. Le mat\u00e9riau pourrait venir en combinaison avec le strained silicon. Cette technologie, qui \u00ab\u00a0\u00e9tire\u00a0\u00bb les atomes de silicium, fluidifierait la circulation des \u00e9lectrons et optimiserait ainsi la d\u00e9pense \u00e9nerg\u00e9tique tout en acc\u00e9l\u00e9rant les transferts. <\/p>\n
En laboratoire, la combinaison de ces technologies permettrait des gains de performance d’environ 30 %, selon AMD. La gravure en 45 nm n’est de toute fa\u00e7on pas attendue avant 2007 et celle en 32 nm n\u00e9cessitera deux ans suppl\u00e9mentaires avant de voir le jour. <\/p>\n
Des transistors en volume <\/p>\n
D’ici l\u00e0, AMD poursuivra \u00e9galement ses recherche vers d’autres voies. Notamment celle du tri-gate (triple porte) qu’Intel a pr\u00e9sent\u00e9 \u00e9galement au VLSI. Evoqu\u00e9 l’ann\u00e9e derni\u00e8re, le tri-gate passe de la phase de recherche \u00e0 la phase de d\u00e9veloppement dans les fonderies d’Intel. Il s’apparente \u00e0 un transistor en volume et non plus plat comme actuellement. La charge \u00e9lectrique \u00e9mise du haut de la porte du transistor est ensuite envoy\u00e9e sur des \u00ab\u00a0fa\u00e7ades\u00a0\u00bb verticales, triplant ainsi les flux du signal \u00e9lectrique. Un peu \u00e0 l’image d’une route nationale qui s’\u00e9largit sur trois voies fluidifiant ainsi le trafic. Les chercheurs d’Intel ont r\u00e9ussi \u00e0 r\u00e9duire de 60 \u00e0 30 nm les portes des transistors tri-gate. Pr\u00e9vu pour \u00eatre grav\u00e9 en 45 nm pour 2007, le tri-gate r\u00e9soudrait \u00e9galement, selon Intel, le probl\u00e8me des fuites \u00e9lectriques.<\/p>\n
[source – vnunet.fr] Christophe Lagane<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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